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怎么區分可控硅模塊的損壞緣由

來源:昆二晶發布日期:2019-05-11關注:-
        當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時,可把管芯從冷卻套中取出,翻開芯盒再取出芯片,調查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。
        電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其方位在遠離操控極上。
        電壓擊穿??煽毓枘K因不能接受電壓而損壞,其芯片中有一個光亮的小孔,有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。

可控硅模塊


        電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。
        邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處,有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。
        以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由,遇到可控硅模塊損壞事情,應鎮定剖析。
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